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CR5865AS_20V3A氮化镓芯片方案参考

时间：2026-09-20 16:30

启达启臣微CR5865AS_20V3A氮化镓芯片方案

CR5865AS 芯片特性：

SOP-8L 高性能氮化镓PWM 控制器；

E-MODE GaN 直驱；

QR+谷底锁定控制模式；

内置软启动减小GaN HEMT 应力；

最高支持230kHz 开关频率；

可编程输出过压保护、输入欠压保护；

电路结构简单、较少的外围元器件，适用高功率密度电源适配器。

1 样机介绍：

该报告是基于能够适用于宽输入电压范围，常规输出功率60W，该方案采用无散热片设计，GaN 控制IC 采用了本公司的CR5865AS。

样机PCBA尺寸：67*43*25mm，是一款全电压实现20V3A输出的电源适配器。系统效率高，整机无散热片尺寸较小。输出接22AWG1.2米线，全电压输入时平均效率>88.2%。

样机具有良好的动态负载能力；同时具有“软启动、OCP、SCP、OVP、OTP自动恢复”等多种保护功能。样机的变压器，采用了ATQ23.7磁芯（PC40材质），变压器绕制工艺部分，请见后文详细说明。

以下表格为工程样机的主要特性，具体测试方法在第4 章节中有详细说明。
2.1 输入特性：

2.3 整机参数@1.2M 20AWG Cable：

2.4 保护功能测试：

2.5 工作环境：

需要详细PDF资料，咨询客服索要~

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